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現將《北京市原子級制造創(chuàng)新發(fā)展行動計劃（2026—2028年）》印發(fā)給你們，請認真貫徹落實。

北京市經濟和信息化局

2026年1月23日

北京市原子級制造創(chuàng)新發(fā)展行動計劃（2026—2028年）

為加快推動本市原子級制造產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，特制定本計劃。圍繞半導體、新材料等領域典型應用，加快突破原子級制造工業(yè)軟件和重點裝備。力爭到2028年，面向半導體與新材料領域，開發(fā)5種原子級制造軟件工具，研制不少于10項原子級制造創(chuàng)新裝備，形成10類原子級制造典型應用和解決方案，初步構建國內領先的原子級制造技術創(chuàng)新高地和典型應用標桿。

一、實施原子級制造軟件支撐工程

1.開發(fā)原子級動態(tài)仿真軟件。支持高校院所和企業(yè)攻克量子效應、界面態(tài)調控、缺陷演化機制等技術，應用人工智能技術，研發(fā)支持原子級精準建模、多場耦合模擬、制程參數優(yōu)化、質量監(jiān)測的仿真軟件，提升原子級制造預測精度、工藝仿真效率與制造過程可調控性。

2.開發(fā)原子級制造工藝設計軟件。支持高校院所和企業(yè)攻克原子級界面性質預測、動態(tài)模擬及界面材料設計等技術，建立面向原子級制造界面服役行為的原子尺度模擬預測軟件，支撐原子級精度表面材料去除、接觸界面原子級磨損調控等工藝實現。

3.開發(fā)原子級相變調控軟件。支持高校院所和企業(yè)攻克原子級相結構演化、路徑篩選、晶界模擬技術瓶頸，研發(fā)遍歷性相變搜索與調控軟件，支撐電子器件失效性及良品率工藝改良性研究。

4.開發(fā)原子級表面檢測軟件。支持企業(yè)攻克原子級表面檢測關鍵技術，研制檢測裝備配套軟件，支撐等離子輔助拋光、彈性發(fā)射加工、離子束拋光等在機械平坦化設備上實現工程應用。

5.構建原子級制造基礎數據庫。支持高校院所和企業(yè)構建原子級結構穩(wěn)定性、材料性質、器件性能的跨尺度預測技術框架，建立標準化的原子級制造理論數據庫，為原子制造過程的結構篩選、逆向設計、工藝優(yōu)化等提供數據支持。

二、實施原子級加工裝備攻關工程

1.攻關單晶硅晶圓埃米級去除裝備。支持企業(yè)開展光輔助化學機械拋光、電輔助化學機械拋光、等離子體輔助拋光、超聲輔助化學機械拋光等核心技術攻關，實現單晶硅晶圓去除率達到埃米級，表面起伏達到原子級精度，滿足半導體前道工序晶圓制備工藝需求。

2.攻關硅晶圓原子級精度刻蝕裝備。支持企業(yè)開展原子層精確刻蝕控制技術攻關，實現原子精度硅基晶圓刻蝕，滿足半導體先進制程產線需求，刻蝕片內均勻性、刻蝕片間均勻性等指標滿足半導體中段工藝刻蝕工藝需求。

3.攻關半導體晶圓微米級減薄裝備。支持企業(yè)開展半導體晶圓封裝原子級減薄控制技術攻關，實現12英寸鍵合晶圓單邊可減薄到微米級，滿足先進封裝、高帶寬存儲器堆疊表面加工需求。

4.攻關超高速軸承材料制備裝備。支持高校院所和企業(yè)開展超滑近零損傷材料攻關，實現航空航天等領域高性能核心運動表面的磨損率量級優(yōu)化，滿足高可靠長壽命軸承等核心零部件的制造需求。

5.攻關二維金屬材料制備裝備。支持高校院所和企業(yè)開展范德華擠壓等技術攻關，研制二維金屬擠壓裝備，實現材料厚度達到納米級的多種二維金屬制備。

6.攻關半導體超高真空環(huán)境保持裝備。支持企業(yè)開展原子級制造超高真空離子復合泵核心部件攻關，提升超高真空泵對氫氣、甲烷等氣體抽送速度，滿足半導體制造腔體超高真空使用需求。

三、實施原子級構筑裝備攻關工程

1.攻關薄膜沉積裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克高均勻性、薄膜表面低顆粒水平控制技術，研制金屬鎢、氧化鋁、氮化硅等材料薄膜沉積裝備，實現原子級厚度薄膜制備。

2.攻關靶材制備裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克材料提純、晶體生長與取向控制等核心技術，研制單晶銅電鑄原子級構筑等裝備，實現單晶銅靶材規(guī)模化制備。

3.攻關外延生長裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克原子級精度外延生長核心技術，研制二維半導體材料外延裝備，實現8英寸晶圓二硫化鉬等單原子層薄膜制備。

4.攻關離子注入裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克離子生成、加速、篩選、注入及后處理等精準摻雜控制技術，研制離子注入裝備，提升束流均勻性、平行度、最大發(fā)散角、能量精度控制能力，支撐半導體先進制程工藝。

5.攻關原子級圖案化結構構筑裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克原子自組裝、掃描探針、納米壓印等核心技術，研制原子級圖案化結構構筑裝備，在宏觀柔性基底表面實現多種電子納米材料圖案高精度構筑，滿足柔性電子器件制造需求。

6.攻關硅基可控碳原子連續(xù)沉積裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克特種氣氛條件下，大尺寸、連續(xù)化、硅基碳原子連續(xù)沉積裝備，研制高定向碳膜與硅晶圓復合材料，實現高靈敏特種傳感器和超高導熱硅晶圓制備。

四、實施原子級性能測量裝備攻關工程

1.攻關激光干涉測量裝備。支持企業(yè)攻克光波相位穩(wěn)定性控制與納米級運動誤差抑制等核心技術，研制亞埃級邁克爾遜激光干涉測量裝備，實現氣浮工件臺超精密位置測量，滿足前道圖形制作裝備實現套刻精度的測量表征需求。

2.攻關封裝檢測裝備。支持高校院所和企業(yè)攻克高分辨率磁場探測、高精度溫度場測量等核心技術，研制磁場、溫度場、原子力、掃描電鏡等微納顯微測量裝備，滿足先進封裝集成電路芯片失效分析和原位缺陷定位需求。

3.攻關超低濃度污染物檢測裝備。支持企業(yè)攻克高靈敏度傳感機制設計，研制二維材料調控傳感芯片測試關鍵部件，實現2～12英寸二維材料光電傳感芯片晶圓制備，滿足環(huán)境小分子監(jiān)測如ppb級氣體傳感測量需求。

五、實施原子級制造應用突破工程

1.面向半導體制造、新材料創(chuàng)制等領域，在半導體拋光、沉積、減薄、檢測以及二維材料制備、柔性電子器件材料制備、單晶銅靶材制備、特種粉末材料制備等方面打造原子級制造典型應用。

2.聚焦半導體領域先進制程芯片制造與新材料領域特殊性能材料規(guī)模化創(chuàng)制需求，開展原子級制造工藝技術、核心裝備的成熟度提升，以及典型場景原子級制造集成驗證，牽引和帶動原子級制造技術與裝備“成組連線”應用試點。

六、保障措施

梯度培育原子級制造領域科技型中小企業(yè)、高新技術企業(yè)，創(chuàng)新型中小企業(yè)、專精特新中小企業(yè)、專精特新“小巨人”企業(yè)。加強瞪羚企業(yè)、獨角獸企業(yè)和制造業(yè)單項冠軍企業(yè)的識別和培育。積極爭取國家專項資金支持，統(tǒng)籌市、區(qū)財政資金，組織原子級制造領域標志性產品和關鍵技術攻關。將原子級制造作為“創(chuàng)贏未來”路演方向，對企業(yè)實施的新技術新產品攻關驗證、典型場景建設等早期創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)項目給予資金支持。鼓勵企業(yè)和高校引育高水平復合型人才，加強產業(yè)人才隊伍建設。推動優(yōu)勢區(qū)域和產業(yè)集聚區(qū)建設原子級制造產業(yè)育新平臺，強化用地保障。推動設立原子級制造標準化委員會，建設原子級制造領域制造業(yè)中試平臺等載體，充分發(fā)揮原子級制造創(chuàng)新發(fā)展聯盟優(yōu)勢，服務和支撐本市原子級制造產業(yè)高水平創(chuàng)新發(fā)展。